Fehlertolerante assoziative Speicherung in neuronalen Netzwerken
Hendrich, Norman ; von der Heide, Klaus
| URL | http://edoc.sub.uni-hamburg.de/informatik/volltexte/2009/24/ |
|---|---|
| Dokumentart: | Report (Bericht) |
| Schriftenreihe: | Berichte des Fachbereichs Informatik der Universität Hamburg |
| Bandnummer: | 151 |
| Sprache: | Deutsch |
| Erstellungsjahr: | 1991 |
| Publikationsdatum: | 02.07.2009 |
| SWD-Schlagwörter: | Neuronales Netz |
| Freie Schlagwörter (Deutsch): | neuronale Netzwerke |
| Freie Schlagwörter (Englisch): | neural networks |
| DDC-Sachgruppe: | Informatik |
| BK - Klassifikation: | 54.38 |
Kurzfassung auf Deutsch:
Neuronale Netzwerke gelten zunehmend als Paradigma für fehlertolerante massiv-parallele Informationsverarbeitung. So ist mit den extrem einfachen Netzwerken des HopfieldGardner Typs fehlertolerante assoziative Speicherung möglich. In dieser Arbeit wird das "constant-stability" Modell vorgestellt, mit dem ausgehend von der Anfangsverteilung der Stabilitäten im Netzwerk die Berechnung der Verteilung der Stabilitäten als Funktion des Konzentration zerstörter Synapsen möglich ist. Damit können erstmals die Speichereigenschaften und die Einzugsbereiche in zerstörten Netzwerken abgeschätzt werden. Mit zusätzlichen Simulationen werden die Einzugsbereiche in teilzerstörten und verdünnten Netzwerken untersucht. Die Ergebnisse zeigen, dai schon schwach verdünnte Netzwerke fast optimale Einzugsbereiche besitzen.
Kurzfassung auf Englisch:
Neural networks are believed to be a new paradigm for parallel and fault-tolerant computations. For example, the extremly simple spinglass-networks of the Hopfield-Gardner type may be used as associative memories. Simple simulations show that these memory networks are fault-tolerant against dilution of synapses. In this paper the "constant stability" model is presented, which allows for the calculation of the distribution of stabilities as a function of the concentration of damaged synapses given the initial distribution of stabilities in the networks. It is therefore possible to predict the storage properties and the basins of attraction of the networks under the effects of damage. Additional simulations show the basins of attraction of damaged and diluted memory networks. The basins of attraction are found to be nearly optimal in diluted networks.
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